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museo:informatica:03-disquetes

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museo:informatica:03-disquetes [2026/09/21 01:04] – [11. Tarjeta CompactFlash - CF (1994)] rubokmuseo:informatica:03-disquetes [2026/09/21 01:06] (actual) – [1. Tarjeta Perforada (Auge en Computación: ~Años 60 / 70)] rubok
Línea 40: Línea 40:
  
 === Unidad expuesta: Lote de tarjetas perforadas IBM SAE 8035 (c. 1970) ====== === Unidad expuesta: Lote de tarjetas perforadas IBM SAE 8035 (c. 1970) ======
-{{:museo:informatica:discos:tarjetas_perforadas.jpg?400|{{:museo:informatica:discos:tarjetas_perforadas.jpg?400|}}}}+{{:museo:informatica:discos:tarjetas_perforadas.jpg?500|{{:museo:informatica:discos:tarjetas_perforadas.jpg?400|}}
   * **Soporte:** Tarjetas estándar de 80 columnas y 12 filas producidas por IBM SAE (Sociedad Anónima Española). El chaflán superior izquierdo permitía alinear el mazo de forma manual o mecánica.   * **Soporte:** Tarjetas estándar de 80 columnas y 12 filas producidas por IBM SAE (Sociedad Anónima Española). El chaflán superior izquierdo permitía alinear el mazo de forma manual o mecánica.
   * **Tecnología:** Cada columna almacena un carácter mediante perforaciones rectangulares (código Hollerith). La línea de texto superior la troquelaba una máquina perforadora (como la IBM 029) para facilitar su lectura humana.   * **Tecnología:** Cada columna almacena un carácter mediante perforaciones rectangulares (código Hollerith). La línea de texto superior la troquelaba una máquina perforadora (como la IBM 029) para facilitar su lectura humana.
Línea 271: Línea 271:
 === Tecnología === === Tecnología ===
 Alberga en un encapsulado sellado un controlador electrónico y chips de memoria semiconductora **NAND Flash**. La información se almacena en millones de celdas basadas en transistores de puerta flotante (*Floating Gate MOSFET*) donde los electrones quedan atrapados por efecto túnel mecánico cuántico, reteniendo su carga durante décadas sin necesidad de batería o suministro eléctrico. Alberga en un encapsulado sellado un controlador electrónico y chips de memoria semiconductora **NAND Flash**. La información se almacena en millones de celdas basadas en transistores de puerta flotante (*Floating Gate MOSFET*) donde los electrones quedan atrapados por efecto túnel mecánico cuántico, reteniendo su carga durante décadas sin necesidad de batería o suministro eléctrico.
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 +=== Unidad expuesta ===
 +{{:museo:informatica:discos:tarjetasd.jpg?200|}}
  
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Línea 291: Línea 294:
   * Uno o varios chips de silicio monolíticos de memoria **NAND Flash** de alta densidad.   * Uno o varios chips de silicio monolíticos de memoria **NAND Flash** de alta densidad.
   * Un oscilador de cristal de cuarzo de referencia para el reloj de comunicaciones.   * Un oscilador de cristal de cuarzo de referencia para el reloj de comunicaciones.
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 +=== Unidad expuesta ===
 +{{:museo:informatica:discos:pendriv1gb.jpg?200|}}
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