museo:informatica:03-disquetes
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| museo:informatica:03-disquetes [2026/09/21 01:01] – [7. Disquete LS-120 "SuperDisk" (1996)] rubok | museo:informatica:03-disquetes [2026/09/21 01:06] (actual) – [1. Tarjeta Perforada (Auge en Computación: ~Años 60 / 70)] rubok | ||
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| === Unidad expuesta: Lote de tarjetas perforadas IBM SAE 8035 (c. 1970) ====== | === Unidad expuesta: Lote de tarjetas perforadas IBM SAE 8035 (c. 1970) ====== | ||
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| * **Soporte: | * **Soporte: | ||
| * **Tecnología: | * **Tecnología: | ||
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| === Tecnología === | === Tecnología === | ||
| A diferencia de los disquetes flexibles, el cartucho Jaz albergaba en su interior **dos platos rígidos de disco duro Winchester** montados sobre un eje sellado. La unidad lectora contenía el motor y los delicados cabezales Voice-Coil electromagnéticos que se introducían dentro del cartucho al insertarlo, alcanzando prestaciones idénticas a las de un disco duro fijo convencional. | A diferencia de los disquetes flexibles, el cartucho Jaz albergaba en su interior **dos platos rígidos de disco duro Winchester** montados sobre un eje sellado. La unidad lectora contenía el motor y los delicados cabezales Voice-Coil electromagnéticos que se introducían dentro del cartucho al insertarlo, alcanzando prestaciones idénticas a las de un disco duro fijo convencional. | ||
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| === Tecnología === | === Tecnología === | ||
| La información se almacena en una única pista en espiral continua de casi 5 kilómetros de longitud formada por hendiduras microscópicas (*pits*) y zonas planas (*lands*) moldeadas sobre el policarbonato y recubiertas por una fina película de aluminio reflectante. Un diodo láser infrarrojo enfoca sobre la pista y un fotodiodo lee los cambios de fase y dispersión de la luz reflejada para interpretar ceros y unos sin desgaste mecánico por contacto. | La información se almacena en una única pista en espiral continua de casi 5 kilómetros de longitud formada por hendiduras microscópicas (*pits*) y zonas planas (*lands*) moldeadas sobre el policarbonato y recubiertas por una fina película de aluminio reflectante. Un diodo láser infrarrojo enfoca sobre la pista y un fotodiodo lee los cambios de fase y dispersión de la luz reflejada para interpretar ceros y unos sin desgaste mecánico por contacto. | ||
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| Línea 225: | Línea 231: | ||
| === Tecnología === | === Tecnología === | ||
| Utiliza un rayo láser de longitud de onda más corta (650 nm en el espectro rojo visible frente a los 780 nm infrarrojos del CD) y una lente de mayor apertura numérica. Esto permitió reducir el tamaño de los orificios (*pits*) a la mitad y estrechar la distancia entre pistas contiguas, logrando cuadruplicar la densidad física superficial de datos sobre el mismo diámetro de 12 centímetros. | Utiliza un rayo láser de longitud de onda más corta (650 nm en el espectro rojo visible frente a los 780 nm infrarrojos del CD) y una lente de mayor apertura numérica. Esto permitió reducir el tamaño de los orificios (*pits*) a la mitad y estrechar la distancia entre pistas contiguas, logrando cuadruplicar la densidad física superficial de datos sobre el mismo diámetro de 12 centímetros. | ||
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| Línea 243: | Línea 252: | ||
| === Tecnología === | === Tecnología === | ||
| A diferencia de otras tarjetas de memoria simples, cada tarjeta CompactFlash integra en su interior un **controlador de disco completo con arquitectura IDE/ATA**. El ordenador o la cámara no ven a la tarjeta como un chip de silicio suelto, sino como un disco duro mecánico virtual que gestiona por sí mismo el direccionamiento de bloques lógicos (LBA) y el reparto de desgaste de las celdas de silicio (*wear leveling*). | A diferencia de otras tarjetas de memoria simples, cada tarjeta CompactFlash integra en su interior un **controlador de disco completo con arquitectura IDE/ATA**. El ordenador o la cámara no ven a la tarjeta como un chip de silicio suelto, sino como un disco duro mecánico virtual que gestiona por sí mismo el direccionamiento de bloques lógicos (LBA) y el reparto de desgaste de las celdas de silicio (*wear leveling*). | ||
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| === Tecnología === | === Tecnología === | ||
| Alberga en un encapsulado sellado un controlador electrónico y chips de memoria semiconductora **NAND Flash**. La información se almacena en millones de celdas basadas en transistores de puerta flotante (*Floating Gate MOSFET*) donde los electrones quedan atrapados por efecto túnel mecánico cuántico, reteniendo su carga durante décadas sin necesidad de batería o suministro eléctrico. | Alberga en un encapsulado sellado un controlador electrónico y chips de memoria semiconductora **NAND Flash**. La información se almacena en millones de celdas basadas en transistores de puerta flotante (*Floating Gate MOSFET*) donde los electrones quedan atrapados por efecto túnel mecánico cuántico, reteniendo su carga durante décadas sin necesidad de batería o suministro eléctrico. | ||
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| * Uno o varios chips de silicio monolíticos de memoria **NAND Flash** de alta densidad. | * Uno o varios chips de silicio monolíticos de memoria **NAND Flash** de alta densidad. | ||
| * Un oscilador de cristal de cuarzo de referencia para el reloj de comunicaciones. | * Un oscilador de cristal de cuarzo de referencia para el reloj de comunicaciones. | ||
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